In-situ ellipsometry studies for the development of a wet cleaning method for image-forming GaAs wafers (EpiClean)

Description

Projektā izstrādā un validē ķīmisko, nemehānisko tīrīšanas procesu, lai iegūtu attēlveidošanai atbilstošu, epitaksijai gatavu GaAs nelielām (<1 collas) fotokatodu plāksnēm, ko izmanto infrasarkanās un nakts redzamības iekārtās.

The Achievable Results

Procesa kontrolei un tā parametru robežvērtībām tiks izveidota un attīstīta in-situ spektroskopiskā elipsometrijas metode, kas tiks atbalstīta ar atomspēku mikroskopijas un rentgenstaru fotoelektronu spektroskopijas mērījumiem.

The Anticipated Benefit

Projekta rezultātā tiks izveidots tīrīšanas un žāvēšanas process, kā arī tiks veikta sākotnējā projektēšana nākotnes industriālajām iekārtām.

Team

Ph.D. Ainārs Ozols
Leading Researcher ainars.ozols@cfi.lu.lv
Dr.phys. Vladimirs Pankratovs
Leading Researcher
Dr.phys. Laima Trinklere
Leading Researcher
Dzintars Bērziņš
Research assistant
Čiro Federiko Tipaldi
Research assistant
Ilona Vanaga
Dace Līduma